- collector-emitter breakdown
- collector-emitter breakdown LE Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung f
English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics. 2013.
collector-emitter breakdown
Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:
Second breakdown — The second breakdown is an irreversible failure mode in power semiconductors.The safe operating area (SOA) of a power transistor is a subset of the parameter combinations of collector emitter voltage and collector current, which the device can… … Wikipedia
Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Differential amplifier — symbol The inverting and non inverting inputs are distinguished by − and + symbols (respectively) placed in the amplifier triangle. Vs+ and Vs− are the power supply voltages; they are often omitted from the diagram for simplicity, but of course… … Wikipedia
Operational amplifier — A Signetics μa741 operational amplifier, one of the most successful op amps. An operational amplifier ( op amp ) is a DC coupled high gain electronic voltage amplifier with a differential input and, usually, a single ended output.[1] An op amp… … Wikipedia
Safe operating area — For power semiconductor device (such as BJT, MOSFET, thyristor or IGBT) a safe operating area (SOA) is defined as the voltage and current conditions over which the device can be expected to operate without self damage.SOA is usually presented in… … Wikipedia
History of the transistor — Invention of the transistor= The first patent [patent|US|1745175|Julius Edgar Lilienfeld: Method and apparatus for controlling electric current first filed in Canada on 22.10.1925, describing a device similar to a MESFET] for the field effect… … Wikipedia
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер — 13. Пробивное напряжение коллектор эмиттер D. Kollektor Emitter Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Breakdown collector emitter voltage F. Tension de claquage collecteur émetteur Пробивное напряжение, измеряемое между выводами… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
